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EVG單面/雙面掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)

簡要描述：EVG單面/雙面掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)EVG610（單面/雙面掩模對準(zhǔn)光刻機(jī) 微流控 納米壓?。┲С指鞣N標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對準(zhǔn)方式。此外，該系統(tǒng)還提供其他功能，包括鍵合對準(zhǔn)和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶概念適合初學(xué)者到專家級各個(gè)階層用戶，非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。

  • 產(chǎn)品型號(hào)：EVG610
  • 廠商性質(zhì)：代理商
  • 產(chǎn)品資料：查看pdf文檔
  • 更新時(shí)間：2024-11-09
  • 訪  問  量： 8552

詳細(xì)介紹

　　EVG單面/雙面掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)介紹：
　　EVG®610 單面/雙面掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)是一款緊湊型多功能研發(fā)系統(tǒng)，可處理零碎片和大200 mm的晶圓。
　　EVG®610 單面/雙面掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)（ 微流控 納米壓?。┲С指鞣N標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對準(zhǔn)方式。此外，該系統(tǒng)還提供其他功能，包括鍵合對準(zhǔn)和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶概念適合初學(xué)者到專家級各個(gè)階層用戶，非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。
　　應(yīng)用：
　　MEMS，RF器件，功率器件，化合物半導(dǎo)體等方面的圖形光刻應(yīng)用。


　　EVG單面/雙面掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)特征

　　1、晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸
　　2、頂部和底部對準(zhǔn)功能
　　3、高精度對準(zhǔn)
　　4、自動(dòng)楔形補(bǔ)償序列
　　5、電動(dòng)的和程序控制的曝光間隙
　　6、支持先進(jìn)的UV-LED技術(shù)
　　7、小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求
　　8、分步流程指引
　　9、遠(yuǎn)程技術(shù)支持
　　10、多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同語言)
　　11、敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工

　　12、臺(tái)式或獨(dú)立式帶防振花崗巖臺(tái)面


　　附加功能：
　　1.鍵合對準(zhǔn)
　　2.紅外對準(zhǔn)

　　3.納米壓印光刻(NIL)


　　【技術(shù)參數(shù)】
　　1.掩模版-基板-晶圓尺寸
　　掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸
　　基片/晶圓尺寸：100mm/150mm/200mm
　　晶圓厚度：高達(dá)10mm
　　2.對準(zhǔn)模式
　　頂部對準(zhǔn)精度：≤ ± 0,5 µm
　　底部對準(zhǔn)精度：≤ ± 2,0 µm
　　紅外對準(zhǔn)模式：≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料
　　3.頂部顯微鏡
　　移動(dòng)范圍1：100mm(X軸：32-100mm；Y軸：-50/+30mm；)
　　移動(dòng)范圍2：150mm(X軸：32-150mm；Y軸：-75/+30mm；)
　　移動(dòng)范圍1：200mm(X軸：32-200mm；Y軸：-100/+30mm；)
　　可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環(huán)形燈的暗場物鏡，可以增加對比度
　　4.底部顯微鏡
　　移動(dòng)范圍1：100mm(X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；)
　　移動(dòng)范圍2：150mm(X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；)
　　移動(dòng)范圍1：200mm(X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；)
　　可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環(huán)形燈的暗場物鏡，可以增加對比度
　　5.曝光器件
　　(1)波長范圍：
　　NUV：350 - 450 nm
　　DUV：低至200 nm (可選)
　　(2)光源：
　　汞燈350W , 500W UV LED燈
　　(3)均勻性：
　　150mm：≤ 3%
　　200mm：≤ 4%
　　(4)濾光片：
　　汞燈：機(jī)械式
　　UV LED：軟件可調(diào)
　　6.曝光模式
　　接觸：硬、軟接觸，真空
　　曝光間隙：1 - 1000 µm
　　線寬精度：1µm
　　模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
　　可選：內(nèi)部，浸入，扇形
　　7.可選功能
　　鍵合對準(zhǔn)精度：≤ ± 2,0 µm
　　納米壓抑光刻(NIL)精度：≤ ± 2,0 µm
　　納米壓抑光刻(NIL)軟印章分辨率：≤ 50 nm圖形分辨率
　　8.設(shè)施
　　真空：< 150 mbar
　　壓縮氣體：6 bar
　　氮?dú)猓嚎蛇x2或者6 bar
　　排氣要求：汞燈需要；LED不需要
　　9.系統(tǒng)方式
　　系統(tǒng)：windows
　　文件分享和軟件備份
　　無限程序儲(chǔ)存，參數(shù)儲(chǔ)存在程序內(nèi)
　　支持多語言，含中文
　　實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程支持，診斷和排除故障
　　10.楔形補(bǔ)償
　　全自動(dòng)- 軟件控制
　　11.規(guī)格(單面/雙面光刻機(jī) 微流控加工 掩模對準(zhǔn))
　　占地面積：0.55m2
　　高度：1.01m
　　重量：約250kg
　　納米壓印分辨率：≤ 40 nm(取決于模板和工藝)
　　支持工藝：Soft UV-NIL



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